Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김대환 | - |
| dc.contributor.author | 황대규 | - |
| dc.contributor.author | 전동환 | - |
| dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:52:51Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-11T12:52:51Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8931 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 인듐을 이용한 태양전지용 CZTS계 흡수층 박막, 이의 제조방법 및 이를 이용한 태양전지에 관한 것으로, 본 발명에 따른 인듐이 첨가된 CZTS계 박막 태양전지는 (a) 기판 위에 후면 전극층을 형성하는 단계; (b) 상기 후면 전극층 위에 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn) 및 황(S); 또는 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn) 및 셀레늄(Se)을 포함하는 금속 전구체를 증착시켜 금속전구체층을 형성하는 단계; (c) 상기 금속 전구체층 위에 인듐을 주입하여 인듐 주입층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 (c) 단계가 완료 후, 불활성기체 분위기 하에서 고온 열처리하는 단계를 포함하여 제조되며, 상기 방법으로 제조된 인듐이 첨가된 CZTS계 박막 태양전지는 CZTS계 흡수층 박막의 표면이 함몰된 동종접합(buried-homojunction)을 형성하여 공핍층에서의 재결합 특성을 감소시킴으로써 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. | - |
| dc.title | 인듐을 이용한 태양전지용 ＣＺＴＳ계 흡수층 박막, 이의 제조방법 및 이를 이용한 태양전지 | - |
| dc.title.alternative | CZTS―based absorber layer thin film for solar cell with indium, preparing method of the same and solar cell using the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2016-0121560 | - |
| dc.date.application | 2016-09-22 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1793640 | - |
| dc.date.registration | 2017-10-30 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.description.claim | (a) 기판 위에 후면 전극층을 형성하는 단계;(b) 상기 후면 전극층 위에 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn) 및 황(S); 또는 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn) 및 셀레늄(Se)을 포함하는 금속 전구체를 증착시켜 금속전구체층을 형성하는 단계;(c) 상기 금속 전구체층 위에 인듐을 주입하여 인듐 주입층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 (c) 단계가 완료 후, 불활성기체 분위기 하에서 고온 열처리하는 단계를 포함하고,상기 (c) 단계에서 금속 전구체층 위에 주입하는 인듐(Indium)의 주입량은 인듐 주입층이 10nm 초과 ~20nm 이하의 두께를 갖도록 주입하고,열처리가 완료된 인듐이 첨가된 CZTS계 흡수층 박막의 조성비는 [Cu]/[Zn]+[Sn]가 0.6 ~ 0.9의 성분비를 가지며, [Zn]/[Sn]는 1.0 ~ 1.4 의 성분비를 갖는 것을 특징으로 하는, 인듐이 첨가된 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법. | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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- Division of Energy Technology 3. Patents
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