본 발명은 인듐을 이용한 태양전지용 CZTS계 흡수층 박막, 이의 제조방법 및 이를 이용한 태양전지에 관한 것으로, 본 발명에 따른 인듐이 첨가된 CZTS계 박막 태양전지는 (a) 기판 위에 후면 전극층을 형성하는 단계; (b) 상기 후면 전극층 위에 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn) 및 황(S); 또는 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn) 및 셀레늄(Se)을 포함하는 금속 전구체를 증착시켜 금속전구체층을 형성하는 단계; (c) 상기 금속 전구체층 위에 인듐을 주입하여 인듐 주입층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 (c) 단계가 완료 후, 불활성기체 분위기 하에서 고온 열처리하는 단계를 포함하여 제조되며, 상기 방법으로 제조된 인듐이 첨가된 CZTS계 박막 태양전지는 CZTS계 흡수층 박막의 표면이 함몰된 동종접합(buried-homojunction)을 형성하여 공핍층에서의 재결합 특성을 감소시킴으로써 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
