Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 오세미 | - |
| dc.contributor.author | 송보경 | - |
| dc.contributor.author | 박성주 | - |
| dc.contributor.author | 조창희 | - |
| dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:53:01Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-11T12:53:01Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8937 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 목적은 반사도가 우수하면서도 반도체 층과의 오믹컨택을 유지할 수 있는 발광다이오드용 반사전극 및 이의 제조방법을 제공하는데 있다. 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 반도체 층 상에 형성되는 전도체 홀 어레이 층; 상기 전도체 홀 어레이 층 상에 형성되는 도전성층; 및 상기 도전성층 상부에 형성되는 알루미늄 금속 층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 반사전극 및 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 반도체 층 상부로 전도체 홀 어레이 층을 형성하는 단계; 상기 전도체 홀 어레이층 상부로 도전성층을 형성하는 단계; 상기 도전성층 상부로 알루미늄 금속 층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 반사전극의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 반사전극으로 본 발명에서 제시한 구조를 사용함으로써 가시광 영역 뿐만 아니라 자외선 영역에서도 반사도가 우수하여 광추출 효율이 향상되며, 나아가 반도체 층과의 오믹컨택을 유지할 수 있는 효과가 있다. | - |
| dc.title | 발광다이오드용 반사전극 및 이의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Reflecting electrode for light emitting diode and preparation method thereof | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2016-0056907 | - |
| dc.date.application | 2016-05-10 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1803545 | - |
| dc.date.registration | 2017-11-24 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(75/75),광주과학기술원(25/25) | - |
| dc.description.claim | 반도체 층 상에 형성되고, 광 추출 효율 향상을 위한 관통된 홀이 주기적으로 형성되며, 반도체 층과 오믹 컨택을 유지하는 은 전도체 홀 어레이 층;상기 전도체 홀 어레이 층 상에 형성되는 도전성층; 및상기 도전성층 상부에 형성되는 알루미늄 금속 층;을 포함하되,상기 홀 어레이 층은 50 내지 150 nm 크기의 정사각형 홀을 포함하고, 상기 홀은 도전성층 방향으로 볼록한 형태인 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 반사전극. | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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- Department of Physics and Chemistry Future Semiconductor Nanophotonics Laboratory 3. Patents
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