본 발명의 목적은 반사도가 우수하면서도 반도체 층과의 오믹컨택을 유지할 수 있는 발광다이오드용 반사전극 및 이의 제조방법을 제공하는데 있다. 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 반도체 층 상에 형성되는 전도체 홀 어레이 층; 상기 전도체 홀 어레이 층 상에 형성되는 도전성층; 및 상기 도전성층 상부에 형성되는 알루미늄 금속 층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 반사전극 및 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 반도체 층 상부로 전도체 홀 어레이 층을 형성하는 단계; 상기 전도체 홀 어레이층 상부로 도전성층을 형성하는 단계; 상기 도전성층 상부로 알루미늄 금속 층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 반사전극의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 반사전극으로 본 발명에서 제시한 구조를 사용함으로써 가시광 영역 뿐만 아니라 자외선 영역에서도 반사도가 우수하여 광추출 효율이 향상되며, 나아가 반도체 층과의 오믹컨택을 유지할 수 있는 효과가 있다.
