본 발명은 (1) 기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계; (2) 상기 후면 전극층 상에 하나 이상의 금속 전구체를 불활성 기체 분위기 하에서 증착시켜 하나 이상의 금속 전구체층을 형성하는 단계; 및 (3) 상기 금속 전구체층을 셀렌화 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하는 CZTSSe계 박막 태양전지의 제조 방법으로서, 상기 열처리는 450℃ 내지 590℃의 온도 하에서 커버를 구비한 챔버 내에서 수행되고, 챔버 내 Se 금속의 함량이 0.197g/mL 내지 0.250g/mL인 조건 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 CZTSSe계 박막 태양전지의 제조 방법에 관한 것이다.