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메모리 셀 유닛, 스위칭 저항 메모리 소자 및 이를 포함하는 뇌신경모사 소자
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- Title
- 메모리 셀 유닛, 스위칭 저항 메모리 소자 및 이를 포함하는 뇌신경모사 소자
- Alternative Title
- MEMORY CELL UNIT, SWITCHING RESISTANCE MEMORY DEVICE AND NEUROMORPHIC DEVICE INCLUDING THE SAME
- Country
- KO
- Application Date
- 2018-10-31
- Application No.
- 10-2018-0131714
- Registration Date
- 2021-12-17
- Publication No.
- 10-2342308
- Abstract
-
메모리 셀 유닛, 스위칭 저항 메모리 소자 및 이를 포함하는 뇌신경모사 소자가 개시된다. 메모리 셀 유닛은 양단 전극 및 상기 양단 전극 사이에 위치하고, 상기 양단 전극에 인가되는 전압에 따라 장축방향이 변화되며, 상기 장축방향의 변화에 따라 상기 양단 전극 간에 서로 다른 저항을 발생시키는 액정셀을 포함하여 다중 저항의 멀티-레벨 특성을 갖는다.
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