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메모리 셀 유닛, 스위칭 저항 메모리 소자 및 이를 포함하는 뇌신경모사 소자

Title
메모리 셀 유닛, 스위칭 저항 메모리 소자 및 이를 포함하는 뇌신경모사 소자
Alternative Title
MEMORY CELL UNIT, SWITCHING RESISTANCE MEMORY DEVICE AND NEUROMORPHIC DEVICE INCLUDING THE SAME
Author(s)
곽진석 ; 노희연 ; 이현준 ; 최규진
Country
KO
Application Date
2018-10-31
Application No.
10-2018-0131714
Registration Date
2021-12-17
Publication No.
10-2342308
Assignee
(재)대구경북과학기술원(50/50),영남대학교 산학협력단(50/50)
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/16026 10-2018-0131714
Abstract
메모리 셀 유닛, 스위칭 저항 메모리 소자 및 이를 포함하는 뇌신경모사 소자가 개시된다. 메모리 셀 유닛은 양단 전극 및 상기 양단 전극 사이에 위치하고, 상기 양단 전극에 인가되는 전압에 따라 장축방향이 변화되며, 상기 장축방향의 변화에 따라 상기 양단 전극 간에 서로 다른 저항을 발생시키는 액정셀을 포함하여 다중 저항의 멀티-레벨 특성을 갖는다.
Related Researcher
  • 이현준 Lee, Hyeon-Jun 나노기술연구부
  • Research Interests 산화물반도체;IGZO;memristor;멤리스터;저항메모리;resistance memory;neuromorphic;device;degradation;hot electron;display device;gate driver;oxide semiconductor
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