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본 발명은 서브나노미터 크기의 황화납 양자점 및 이를 제조하는 방법으로서, 저온 합성법을 통해 황화납 양자점을 제조하는 방법 및 이 방법으로 제조한 직경이 서브나노미터 크기를 가지는 비결정의 황화납 양자점에 관한 것이다.
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