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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 권혁준 | - |
| dc.contributor.author | 송총명 | - |
| dc.contributor.author | 정희재 | - |
| dc.date.accessioned | 2023-01-01T02:10:17Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-01T02:10:17Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/17273 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 다양한 실시예에는, 모놀리식 3차원(Monolithic 3D) 구조에 적용할 수 있는 새로운 결정화 방법을 제공할 수 있다. 본 발명의 다양한 실시예에 따른 모놀리식 3차원 소자의 상부층 고결정화 방법은, 절연막이 형성된 하부 소자를 준비하는 단계; 상기 절연막 상에 비정질 실리콘계 층을 증착하는 단계; 상기 비정질 실리콘계 층 상에 쉐브론 패턴을 포함하는 마스크를 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘계 층을 쉐브론 패턴으로 패터닝하는 단계; 및 상기 패터닝된 비정질 실리콘계 층에 레이저를 조사하는 단계를 포함한다. | - |
| dc.title | 모놀리식 3차원 소자의 상부층 고결정화 방법 및 이를 통해 제조된 모놀리식 3차원 소자 | - |
| dc.title.alternative | Method for high crystallization of upper layer of a Monolithc 3D device and Monolithc 3D device manufactured by the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2021-0012510 | - |
| dc.date.application | 2021-01-28 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2470876 | - |
| dc.date.registration | 2022-11-22 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
Department of Electrical Engineering and Computer Science
