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dc.contributor.author 양지웅 -
dc.contributor.author 최문기 -
dc.contributor.author 박수익 -
dc.contributor.author 권종익 -
dc.date.accessioned 2023-09-19T16:40:23Z -
dc.date.available 2023-09-19T16:40:23Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/46465 -
dc.description.abstract 본 발명은 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점의 전사 인쇄 방법, 상기 방법으로 제조된 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점 박막 및 전자소자를 개시한다. 본 발명은 제1 기판 상에 제1 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점을 포함하는 양자점 박막을 형성하는 단계; 상기 양자점 박막을 스탬프를 이용하여 픽업하는 단계; 및 상기 스탬프를 이용하여 상기 양자점 박막을 제2 기판에 전사하는 단계;를 포함하고, 상기 스탬프는 제2 극성을 갖는 자가조립 단분자막으로 표면처리된 것을 특징으로 한다. -
dc.title 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점의 전사 인쇄 방법, 상기 방법으로 제조된 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점 박막 및 전자소자 -
dc.title.alternative TRANSFER PRINTING METHOD FOR POLAR LIGAND TREATED QUANTUM DOT, POLAR LIGAND TREATED QUANTUM DOT LAYER PREPARED BY THE METHOD AND ELECTRONIC DEVICE -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2020-0166805 -
dc.date.application 2020-12-02 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-2578817 -
dc.date.registration 2023-09-11 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(50/50),울산과학기술원(50/50) -
dc.type.iprs 특허 -
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Department of Energy Science and Engineering NanoMaterials Laboratory 3. Patents

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