3. Patents17

  Department of Energy Science and Engineering NanoMaterials Laboratory

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이방성 나노입자의 음각 전사 방법 및 이에 의해 제조된 유연 전극
  • 김혜현 ; 
  • 양지웅 ; 
  • 최문기 ; 
  • 김기욱
  • 2024-01-30
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Patent
신축성 양자점 복합체 및 이의 제조 방법, 이를 포함하는 컬러 필터
  • 2023-10-05
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Patent
페로브스카이트 나노결정의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 페로브스카이트 나노결정
  • 2024-05-02
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Patent
페로브스카이트 발광소자의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 페로브스카이트 발광소자
  • 이경훈 ; 
  • 최문기 ; 
  • 양지웅 ; 
  • 김윤호
  • 2024-07-24
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Patent
METHODS FOR MANUFACTURING PEROVSKITE NANOCRYSTAL AND DEVICE, AND PEROVSKITE NANOCRYSTAL AND DEVICE MANUFACTURED BY USING SAME
  • 이경훈 ; 
  • 최문기 ; 
  • 양지웅 ; 
  • 김윤호
  • 2024-11-12
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Patent
ANISOTROPIC NANOPARTICLE INTAGLIO TRANSFER METHOD, AND FLEXIBLE ELECTRODE MANUFACTURED USING SAME
  • 김기욱 ; 
  • 최문기 ; 
  • 양지웅 ; 
  • 김혜현
  • 2024-11-08
  • View : 123
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Patent
양자점 기반 반도체 나노 복합체 박막 및 이의 제조 방법, 양자점 기반 반도체 나노 복합체 박막 및 이의 제조 방법, 신축성 양자점 광검출기 및 이의 제조 방법
  • 2023-11-24
  • View : 189
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Patent
반응제어가 가능한 고해상도 현미경 그래핀 액상셀
  • 2022-09-29
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II-VI 극소 나노클러스터 및 이의 제조방법
  • 2023-08-07
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Patent
광 검출기 및 이를 포함하는 웨어러블 센서
  • 장재홍 ; 
  • Li Shi ; 
  • 양지웅 ; 
  • 최문기
  • 2023-09-27
  • 장재홍. 광 검출기 및 이를 포함하는 웨어러블 센서.
  • View : 114
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Patent
도펀트가 도핑된 반도체 나노 결정의 제조 방법 및 도펀트가 도핑된 반도체 나노 결정
  • 2024-05-03
  • 양지웅. 도펀트가 도핑된 반도체 나노 결정의 제조 방법 및 도펀트가 도핑된 반도체 나노 결정.
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Cu-In-Se 양자점의 합성 방법 및 이를 통하여 제조된 Cu-In-Se 양자점
  • 2021-09-24
  • 박수익. Cu-In-Se 양자점의 합성 방법 및 이를 통하여 제조된 Cu-In-Se 양자점.
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페로브스카이트 발광 다중층의 제조방법 및 이를 포함하는 페로브스카이트 발광 다이오드의 제조방법
  • 권종익 ; 
  • 최문기 ; 
  • 양지웅 ; 
  • 성낙준
  • 2022-09-29
  • 권종익. 페로브스카이트 발광 다중층의 제조방법 및 이를 포함하는 페로브스카이트 발광 다이오드의 제조방법.
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2차원 반도체 양자 나노리본 및 이의 합성 방법
  • 2020-12-02
  • 양지웅. 2차원 반도체 양자 나노리본 및 이의 합성 방법.
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Patent
전자 현미경용 액상 셀 및 그의 제조 방법
  • 2022-07-27
  • 마현종. 전자 현미경용 액상 셀 및 그의 제조 방법.
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양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법 및 이를 통해 제조된 양자점 다층 박막
  • 이승민 ; 
  • 양지웅 ; 
  • 박수익 ; 
  • 최문기
  • 2020-12-02
  • 이승민. 양자점 다층 박막의 적층 전사 인쇄 방법 및 이를 통해 제조된 양자점 다층 박막.
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극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점의 전사 인쇄 방법, 상기 방법으로 제조된 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점 박막 및 전자소자
  • 양지웅 ; 
  • 최문기 ; 
  • 박수익 ; 
  • 권종익
  • 2020-12-02
  • 양지웅. 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점의 전사 인쇄 방법, 상기 방법으로 제조된 극성을 갖는 리간드로 표면처리된 양자점 박막 및 전자소자.
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