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본 발명은 2차원 반도체 양자나노리본 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 양자 나노리본; 및 상기 양자 나노리본의 표면에 결합된 적어도 둘 이상의 리간드; 를 포함하고, 상기 적어도 둘 이상의 리간드는 C10 내지 C21의 탄소 길이 차이를 갖는 것을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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