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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 양지웅 | - |
| dc.date.accessioned | 2025-05-01T02:10:35Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-01T02:10:35Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/58351 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 2차원 반도체 양자나노리본 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 양자 나노리본; 및 상기 양자 나노리본의 표면에 결합된 적어도 둘 이상의 리간드; 를 포함하고, 상기 적어도 둘 이상의 리간드는 C10 내지 C21의 탄소 길이 차이를 갖는 것을 포함하는 것을 특징으로 한다. | - |
| dc.title | 2차원 반도체 양자 나노리본 및 이의 합성 방법 | - |
| dc.title.alternative | TWO DIMENSION SEMICONDUCTOR NANORIBBONS AND METHOD OF SYNTHESIZING THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 양지웅. 2차원 반도체 양자 나노리본 및 이의 합성 방법. | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2020-0166890 | - |
| dc.date.application | 2020-12-02 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2801792 | - |
| dc.date.registration | 2025-04-24 | - |
| dc.contributor.assignee | 재단법인대구경북과학기술원 | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
