본 발명은 Cu-In-Se 양자점의 합성 방법 및 이를 통해 제조된 Cu-In-Se 양자점을 개시한다. 본 발명은 루이스 염기로 사용되는 셀레늄 전구체 및 제1 배위 용매를 포함하여 셀레늄 전구체 용액을 준비하는 단계, 제1 루이스 산으로 사용되는 구리 전구체, 제2 루이스 산으로 사용되는 인듐 전구체 및 제2 배위 용매를 포함하여 구리/인듐 전구체 용액을 제조하는 단계; 및 상기 셀레늄 전구체 용액과 상기 구리/인듐 전구체 용액을 혼합한 혼합 용액을 가열하여 루이스 산-염기 반응을 통해 Cu-In-Se(CIS, Copper Indium Selenide) 양자점을 제조하는 단계; 를 포함하고, 상기 루이스 산-염기 반응을 통해 Cu-In-Se 양자점을 제조하는 단계는, 제1 루이스 산 또는 제2 루이스 산의 세기에 따라 상기 구리 전구체 및 인듐 전구체의 반응성을 조절하여 상기 Cu-In-Se 양자점의 구리와 인듐의 조성비(Cu/In)를 제어하며, 상기 Cu-In-Se 양자점에 포함되는 구리와 인듐의 조성비(Cu/In)는 1:1.1 내지 1:2인 것을 특징으로 한다.
