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양자점 기반 반도체 나노 복합체 박막 및 이의 제조 방법, 양자점 기반 반도체 나노 복합체 박막 및 이의 제조 방법, 신축성 양자점 광검출기 및 이의 제조 방법
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- Title
- 양자점 기반 반도체 나노 복합체 박막 및 이의 제조 방법, 양자점 기반 반도체 나노 복합체 박막 및 이의 제조 방법, 신축성 양자점 광검출기 및 이의 제조 방법
- Alternative Title
- QUANTUM DOT-BASED SEMICONDUCTOR NANOCOMPOSITE THIN FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, STRETCHABLE QUANTUM DOT PHOTODETECTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
- Country
- KO
- Application Date
- 2023-11-24
- Application No.
- 10-2023-0165362
- Registration Date
- 2025-09-02
- Publication No.
- 10-2853432
- Assignee
- (재)대구경북과학기술원(100/100)
- Abstract
-
본 발명은 양자점 기반 반도체 나노 복합체 박막 및 이의 제조 방법, 양자점 기반 반도체 나노 복합체 박막 및 이의 제조 방법, 신축성 양자점 광검출기 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 기판 상에 형성되는 양자점 기반 반도체 나노 복합체 층;를 포함하고, 상기 양자점 기반 반도체 나노 복합체 층은 양자점 기반 반도체 나노 복합체를 포함하고, 상기 양자점 기반 반도체 나노 복합체는 Cu-In-Se 양자점, 탄성중합체(elastomer) 및 전하 수송 고분자(charge transport polymer)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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