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양자점 기반 반도체 나노 복합체 박막 및 이의 제조 방법, 양자점 기반 반도체 나노 복합체 박막 및 이의 제조 방법, 신축성 양자점 광검출기 및 이의 제조 방법
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dc.contributor.author 양지웅 -
dc.contributor.author Li Shi -
dc.date.accessioned 2025-10-01T02:10:19Z -
dc.date.available 2025-10-01T02:10:19Z -
dc.identifier.uri https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/59075 -
dc.description.abstract 본 발명은 양자점 기반 반도체 나노 복합체 박막 및 이의 제조 방법, 양자점 기반 반도체 나노 복합체 박막 및 이의 제조 방법, 신축성 양자점 광검출기 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 기판 상에 형성되는 양자점 기반 반도체 나노 복합체 층;를 포함하고, 상기 양자점 기반 반도체 나노 복합체 층은 양자점 기반 반도체 나노 복합체를 포함하고, 상기 양자점 기반 반도체 나노 복합체는 Cu-In-Se 양자점, 탄성중합체(elastomer) 및 전하 수송 고분자(charge transport polymer)를 포함하는 것을 특징으로 한다. -
dc.title 양자점 기반 반도체 나노 복합체 박막 및 이의 제조 방법, 양자점 기반 반도체 나노 복합체 박막 및 이의 제조 방법, 신축성 양자점 광검출기 및 이의 제조 방법 -
dc.title.alternative QUANTUM DOT-BASED SEMICONDUCTOR NANOCOMPOSITE THIN FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, STRETCHABLE QUANTUM DOT PHOTODETECTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2023-0165362 -
dc.date.application 2023-11-24 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-2853432 -
dc.date.registration 2025-09-02 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.type.iprs 특허 -
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양지웅
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