곡률을 가지는 박막의 형성 방법 및 이를 통해 제조된 전자 소자
- Title
- 곡률을 가지는 박막의 형성 방법 및 이를 통해 제조된 전자 소자
- Alternative Title
- Method of forming a thin film with curvature and electronic device manufactured by the same
- Country
- KO
- Application Date
- 2021-02-10
- Application No.
- 10-2021-0018918
- Registration Date
- 2023-09-22
- Publication No.
- 10-2583823
- Assignee
- (재)대구경북과학기술원(100/100)
- Abstract
- 본 발명의 다양한 실시예에 따른 곡률을 가지는 박막의 형성 방법은, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 박막 및 제2 박막을 형성하는 단계; 상기 제2 박막을 패터닝하는 단계; 상기 제2 박막 상에 보호막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 박막을 선택적으로 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
- Related Researcher
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Lee, Hyeon-Jun
- Research Interests 산화물반도체; Oxide semicondcutor; IGZO; memristor; 멤리스터; 차세대메모리; next-generation memory; 뇌모사; neuromorphic; 반도체 소자; Semiconductor device; 소자 수명 평가; device degradation; 소자 결함 분석; device fatigue; 반도체 열분석; Semiconductor thermal analysis; 미세 발열 측정; thermal measurement; 인공지능 소자; AI device; 인지연산 소자 및 시스템; recognition system; transistor analysis & design; 트랜지스터 분석 및 디자인; 트랜지스터 제작 및 측정; transistor fabrication and measurement
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- Appears in Collections:
- Division of Nanotechnology 3. Patents
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