곡률을 가지는 박막의 형성 방법 및 이를 통해 제조된 전자 소자
- Title
- 곡률을 가지는 박막의 형성 방법 및 이를 통해 제조된 전자 소자
- Alternative Title
- Method of forming a thin film with curvature and electronic device manufactured by the same
- Country
- KO
- Application Date
- 2021-02-10
- Application No.
- 10-2021-0018918
- Registration Date
- 2023-09-22
- Publication No.
- 10-2583823
- Assignee
- (재)대구경북과학기술원(100/100)
- Abstract
- 본 발명의 다양한 실시예에 따른 곡률을 가지는 박막의 형성 방법은, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 박막 및 제2 박막을 형성하는 단계; 상기 제2 박막을 패터닝하는 단계; 상기 제2 박막 상에 보호막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 박막을 선택적으로 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
- Related Researcher
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Lee, Hyeon-Jun 나노기술연구부
- Research Interests 산화물반도체;IGZO;memristor;멤리스터;저항메모리;resistance memory;neuromorphic;device;degradation;hot electron;display device;gate driver;oxide semiconductor
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- Appears in Collections:
- Division of Nanotechnology 3. Patents
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