Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이현준 | - |
| dc.date.accessioned | 2024-01-01T02:10:14Z | - |
| dc.date.available | 2024-01-01T02:10:14Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/47517 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 다양한 실시예에 따른 비휘발성 메모리 소자는, 기판; 상기 기판 상에 배치되는 제1 전극; 상기 제1 전극과 접하는 절연막; 상기 절연막과 접하는 반도체층; 및 상기 반도체층과 접하는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극의 적어도 일 부분이 상기 반도체층과 접하고, 상기 반도체층에 유도되는 ALES(asymmetrical local energy state)를 이용하여 구동되는 것을 특징으로 하는 한다. 본 발명의 다양한 실시예에 따른 비휘발성 메모리 소자의 구동 방법은, 반도체층에 주입된 전자의 순간적 가속에 의해 발생하는 ALES(asymmetrical local energy state)를 유도하는 단계; 및 상기 반도체층에 ALES를 제거하여 복원하는 단계를 포함할 수 있다. | - |
| dc.title | 비휘발성 메모리 소자 및 이의 구동 방법 | - |
| dc.title.alternative | Nonvolatile memory device and method of operating thereof | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2022-0015751 | - |
| dc.date.application | 2022-02-07 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2616908 | - |
| dc.date.registration | 2023-12-18 | - |
| dc.contributor.assignee | 재단법인대구경북과학기술원 | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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- Division of Nanotechnology 3. Patents
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