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dc.contributor.author 신희원 -
dc.contributor.author 이동훈 -
dc.contributor.author 김황주 -
dc.contributor.author 박미선 -
dc.contributor.author 장연숙 -
dc.contributor.author 이원재 -
dc.contributor.author 김정곤 -
dc.contributor.author 정성민 -
dc.contributor.author 이명현 -
dc.contributor.author 서원선 -
dc.date.accessioned 2018-01-24T02:01:09Z -
dc.date.available 2018-01-24T02:01:09Z -
dc.date.created 2018-01-17 -
dc.date.issued 2016-02 -
dc.identifier.issn 1225-1429 -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/4889 -
dc.description.abstract 본 연구에서는 AlN 결정 성장시 중요한 공정변수 중의 하나인 성장 압력과 온도 조건에 따라 다르게 성장되는AlN 결정상의 결과에 대하여 고찰하였다. AlN 결정 성장은 6H-SiC 종자 결정을 사용하여 PVT(Physical Vapor Transport) 법을 적용하여 성장시켰다. 성장 압력과 온도에 따라 AlN 결정의 특성이 변화하였고, Raman 분석을 통해 다양한 방향을갖는 AlN 결정이 SiC 종자 결정 위에 성장되는 것을 확인하였다. -
dc.language Korean -
dc.publisher 한국결정성장학회 -
dc.title 6H-SiC 종자 결정을 사용하여 PVT법으로 성장된 AlN 결정 연구 -
dc.title.alternative Crystal structure investigation of AlN crystal grown on 6H-SiC seed by a physical vapor transport method -
dc.type Article -
dc.identifier.doi 10.6111/JKCGCT.2016.26.1.049 -
dc.identifier.bibliographicCitation 한국결정성장학회지, v.26, no.1, pp.49 - 52 -
dc.identifier.kciid ART002081678 -
dc.description.isOpenAccess FALSE -
dc.subject.keywordAuthor Aluminum nitride -
dc.subject.keywordAuthor AlN -
dc.subject.keywordAuthor PVT (Physical Vapor Transport) -
dc.subject.keywordAuthor Growth pressure -
dc.subject.keywordAuthor Growth temperature -
dc.citation.endPage 52 -
dc.citation.number 1 -
dc.citation.startPage 49 -
dc.citation.title 한국결정성장학회지 -
dc.citation.volume 26 -
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