저잡음 신경 전극 및 이의 제조방법

Abstract

본 발명은 저잡음 신경전극 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 기판 상에 형성되는 시드층(seed layer); 및 상기 시드층 상에 형성된 전도성 전극층;을 포함하고, 상기 시드층은 음이온성 고분자 전해질층(Negative Polyelectrolyte layer) 및 양이온성 고분자 전해질층(Positive Polyelectrolyte layer)이 교차하여 반복 적층되어 (음이온성 고분자 전해질층/양이온성 고분자 전해질층)n 구조 또는 (양이온성 고분자 전해질층/음이온성 고분자 전해질층)n 구조를 갖는 것(n은, 2 내지 20이다)을 특징으로 한다.