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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김두희 | - |
| dc.contributor.author | 홍웅기 | - |
| dc.contributor.author | 강홍기 | - |
| dc.date.accessioned | 2024-06-01T02:10:14Z | - |
| dc.date.available | 2024-06-01T02:10:14Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/56624 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 저잡음 신경전극 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 기판 상에 형성되는 시드층(seed layer); 및 상기 시드층 상에 형성된 전도성 전극층;을 포함하고, 상기 시드층은 음이온성 고분자 전해질층(Negative Polyelectrolyte layer) 및 양이온성 고분자 전해질층(Positive Polyelectrolyte layer)이 교차하여 반복 적층되어 (음이온성 고분자 전해질층/양이온성 고분자 전해질층)n 구조 또는 (양이온성 고분자 전해질층/음이온성 고분자 전해질층)n 구조를 갖는 것(n은, 2 내지 20이다)을 특징으로 한다. | - |
| dc.title | 저잡음 신경 전극 및 이의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | LOW-NOISE NEURAL ELECTRODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 김두희. 저잡음 신경 전극 및 이의 제조방법. | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2021-0081602 | - |
| dc.date.application | 2021-06-23 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2669757 | - |
| dc.date.registration | 2024-05-23 | - |
| dc.contributor.assignee | 재단법인대구경북과학기술원 | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
