- Title
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저잡음 신경 전극 및 이의 제조방법
- Alternative Title
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LOW-NOISE NEURAL ELECTRODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
- Country
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KO
- Application Date
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2021-06-23
- Application No.
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10-2021-0081602
- Registration Date
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2024-05-23
- Publication No.
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10-2669757
- Assignee
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재단법인대구경북과학기술원
- URI
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http://hdl.handle.net/20.500.11750/56624
10-2021-0081602
- Abstract
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본 발명은 저잡음 신경전극 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 기판 상에 형성되는 시드층(seed layer); 및 상기 시드층 상에 형성된 전도성 전극층;을 포함하고, 상기 시드층은 음이온성 고분자 전해질층(Negative Polyelectrolyte layer) 및 양이온성 고분자 전해질층(Positive Polyelectrolyte layer)이 교차하여 반복 적층되어 (음이온성 고분자 전해질층/양이온성 고분자 전해질층)n 구조 또는 (양이온성 고분자 전해질층/음이온성 고분자 전해질층)n 구조를 갖는 것(n은, 2 내지 20이다)을 특징으로 한다.
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