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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 양기정 | - |
| dc.contributor.author | 이재백 | - |
| dc.contributor.author | 김대환 | - |
| dc.contributor.author | 성시준 | - |
| dc.contributor.author | 강진규 | - |
| dc.contributor.author | 박시내 | - |
| dc.date.accessioned | 2024-08-01T02:10:22Z | - |
| dc.date.available | 2024-08-01T02:10:22Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/56716 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막의 제조 방법 및 이를 통해 제조된 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막의 제조 방법은 기판 상에 제1 서브 사이클을 이용하여 티타늄 산화물막을 형성하는 단계; 상기 티타늄 산화물막 상에 제2 서브 사이클을 이용하여 아연 산화물막을 형성하는 단계; 상기 제1 서브 사이클 및 상기 제2 서브 사이클은 복수회 반복 진행하여 티타늄 산화물막/아연 산화물막 적층 구조물을 형성하는 단계; 및 상기 티타늄 산화물막/아연 산화물막 적층 구조물을 열처리하여 아연티타늄 산화물(ZnxTiyO) 복합막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. | - |
| dc.title | 아연티타늄 산화물 | - |
| dc.title.alternative | ZnxTiyO | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 양기정. 아연티타늄 산화물. | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2022-0019923 | - |
| dc.date.application | 2022-02-16 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2689611 | - |
| dc.date.registration | 2024-07-25 | - |
| dc.contributor.assignee | 재단법인대구경북과학기술원 | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
