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도펀트가 도핑된 반도체 나노 결정의 제조 방법 및 도펀트가 도핑된 반도체 나노 결정
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dc.contributor.author 양지웅 -
dc.contributor.author 지승현 -
dc.contributor.author 김서영 -
dc.date.accessioned 2025-07-01T02:10:17Z -
dc.date.available 2025-07-01T02:10:17Z -
dc.identifier.uri https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/58532 -
dc.description.abstract 본 발명은 도펀트가 도핑된 반도체 나노 결정의 제조 방법 및 도펀트가 도핑된 반도체 나노 결정을 개시한다. 본 발명은 아연 전구체 와 도펀트 전구체를 용매에 혼합하여 아연 전구체 용액을 제조하는 단계; 음이온 전구체를 포함하는 음이온 전구체 용액을 제조하는 단계; 상기 아연 전구체 용액에 음이온 전구체 용액을 첨가하여 반응 용액을 제조하는 단계; 상기 반응 용액을 반응시켜 반응 중간체를 포함하는 클러스터 용액을 제조하는 단계; 상기 클러스터 용액을 열처리하여 2차원 구조의 도펀트가 도핑된 반도체 나노 결정을 제조하는 단계;를 포함하고, 상기 반응 중간체는 상기 아연 전구체, 상기 도펀트 전구체 및 상기 음이온 전구체가 반응하여 형성된 도펀트가 도핑된 반도체 클러스터를 포함하는 것을 특징으로 한다. -
dc.title 도펀트가 도핑된 반도체 나노 결정의 제조 방법 및 도펀트가 도핑된 반도체 나노 결정 -
dc.title.alternative METHOD FOR MANUFACTURING DOPANT-DOPED SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS AND DOPANT-DOPED SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS -
dc.type Patent -
dc.identifier.bibliographicCitation 양지웅. 도펀트가 도핑된 반도체 나노 결정의 제조 방법 및 도펀트가 도핑된 반도체 나노 결정. -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2024-0059167 -
dc.date.application 2024-05-03 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-2818054 -
dc.date.registration 2025-06-04 -
dc.contributor.assignee 재단법인대구경북과학기술원 -
dc.type.iprs 특허 -
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