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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이현준 | - |
| dc.date.accessioned | 2025-07-29T17:40:11Z | - |
| dc.date.available | 2025-07-29T17:40:11Z | - |
| dc.identifier.uri | https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/58795 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 다양한 실시예에서는, 반도체 박막의 국소 영역 또는 특정 영역에서의 에너지 준위 밀도를 확인하기 위한 장치 및 방법을 제공할 수 있다. 본 발명의 다양한 실시예에 따른 반도체 박막의 에너지 준위 밀도 평가 장치는, 반도체 박막에 전압을 인가하기 위한 전압 인가부; 상기 반도체 박막에 입사광을 인가하는 광원부; 상기 반도체 박막으로부터 반사된 반사광을 검출하는 반사광 검출부; 및 상기 반사광을 이용하여 상기 반도체 박막의 에너지 준위 밀도를 출력하는 에너지 준위 밀도 출력부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 다양한 실시예에 따른 반도체 박막의 에너지 준위 밀도 평가 방법은, 반도체 박막을 준비하는 단계; 상기 반도체 박막의 위치에 따라 입사광을 인가하는 단계; 상기 입사광으로부터 반사된 반사광을 검출하는 단계; 및 상기 검출하는 단계에서 검출된 반사광을 처리하여 상기 반도체 박막의 에너지 준위 밀도를 출력하는 단계를 포함할 수 있다. | - |
| dc.title | 반도체 박막의 에너지 준위 밀도 평가 장치 및 평가 방법 | - |
| dc.title.alternative | Evaluation device of density of state of semiconductor thin films and evaluation method of density of state of semiconductor thin films | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2022-0181945 | - |
| dc.date.application | 2022-12-22 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2829218-00-00 | - |
| dc.date.registration | 2025-06-30 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
