본 발명의 다양한 실시예에서는, 반도체 박막의 국소 영역 또는 특정 영역에서의 에너지 준위 밀도를 확인하기 위한 장치 및 방법을 제공할 수 있다. 본 발명의 다양한 실시예에 따른 반도체 박막의 에너지 준위 밀도 평가 장치는, 반도체 박막에 전압을 인가하기 위한 전압 인가부; 상기 반도체 박막에 입사광을 인가하는 광원부; 상기 반도체 박막으로부터 반사된 반사광을 검출하는 반사광 검출부; 및 상기 반사광을 이용하여 상기 반도체 박막의 에너지 준위 밀도를 출력하는 에너지 준위 밀도 출력부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 다양한 실시예에 따른 반도체 박막의 에너지 준위 밀도 평가 방법은, 반도체 박막을 준비하는 단계; 상기 반도체 박막의 위치에 따라 입사광을 인가하는 단계; 상기 입사광으로부터 반사된 반사광을 검출하는 단계; 및 상기 검출하는 단계에서 검출된 반사광을 처리하여 상기 반도체 박막의 에너지 준위 밀도를 출력하는 단계를 포함할 수 있다.
