CZTS계 태양전지 광흡수층 제조방법 및 이에 따라 제조되는 CZTS계 태양전지 광흡수층

Abstract

본 발명은 CZTS계 태양전지 광흡수층 제조방법 및 이에 따라 제조되는 CZTS계 태양전지 광흡수층에 관한 것으로, 상세하게는 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn), 황(S) 및 셀레늄(Se)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 1); 및 상기 단계 1의 전구체 박막에 셀렌화-황화 공정을 동시에 수행하여 광흡수층의 밴드갭을 조절하는 단계(단계 2);를 포함하는 CZTS(Cu2ZnSn(S,Se)4)계 태양전지 광흡수층 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 CZTS계 태양전지 광흡수층 제조방법에 따르면, 태양전지 광흡수층 내의 셀렌(Se) 및 황(S)의 비율을 조절할 수 있어, 밴드갭의 조절을 통하여 우수한 효율의 CZTS계 태양전지를 제공할 수 있는 효과가 있다. 또한, 셀렌 원료와 황 원료를 동시에 챔버 내에서 열처리하므로, 공정이 단순하고, 셀렌 원료와 황 원료는 고체 원료로써, 종래의 기체를 사용하여 셀렌화-황화 공정을 하는 경우보다 공정이 용이한 장점이 있다.