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화합물 반도체의 제조장치 및 이를 이용한 화합물 반도체의 제조방법

Title
화합물 반도체의 제조장치 및 이를 이용한 화합물 반도체의 제조방법
Translated Title
Device for preparation of compound semiconductor, and the preparation method of compound semiconductor using the same
Inventors
김대환성시준황대규강진규양기정
DGIST Inventors
김대환성시준황대규강진규양기정
Country
KO
Application Date
2012-11-13
Application No.
10-2012-0128050
Registration Date
2014-05-28
Registration No.
10-1403479
Assignee
(재)대구경북과학기술원(100/100)
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/8019
https://doi.org/10.8080/1020120128050 [KIPRIS]
Abstract
본 발명은 화합물 반도체의 제조장치 및 이를 이용한 화합물 반도체의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 증발원이 가열되지 않는 가열 대기영역 및 증발원이 가열될 수 있는 가열영역을 포함하는 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내에 구비되되, 1종 이상의 VIA족 원소를 포함하는 증발원이 담지되는 증발원 담지부; 상기 반응 챔버 내에서 상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, IB, IIB, IIIA, VA 및 IVA족 원소로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 시편이 표면에 형성된 기판; 상기 증발원 담지부와 이격되어 구비되되, 상기 대기영역은 가열하지 않고, 상기 기판을 가열할 수 있도록 상기 가열영역으로 구비되는 가열부; 상기 증발원 담지부에 연결되어 상기 증발원 담지부를 상기 대기영역에서 상기 가열영역으로 이송할 수 있는 이송장치; 상기 반응 챔버 내로 이송가스를 공급하는 이송가스 공급부; 및 상기 반응 챔버 내의 이송가스를 배출하는 이송가스 배출부;를 포함하는 화합물 반도체의 제조장치를 제공한다. 본 발명에 따른 화합물 반도체의 제조장치는 과량의 증발원을 시편과 함께 열처리하는 기존의 방법과 달리, VIA족 원소를 열처리 장치 내부에 순차적으로 그리고 지속적으로 공급함으로써 VIA족 원소의 기화 정도를 일정하게 제어할 수 있으며, 이에 따라 전구체의 균일한 반응을 유도할 수 있는 효과가 있다.
Related Researcher
  • Author Sung, Shi-Joon  
  • Research Interests Compound Semiconductor Materials & Processes
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Collection:
Division of Energy Technology3. Patents


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