Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 장환수 | - |
dc.contributor.author | 최호진 | - |
dc.contributor.author | 우성호 | - |
dc.contributor.author | 김재현 | - |
dc.contributor.author | 백성호 | - |
dc.contributor.author | 김성빈 | - |
dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:21:27Z | - |
dc.date.available | 2018-07-11T12:21:27Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8086 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 전기화학적 식각에 사용될 식각 구멍 형성 방법에 관한 것이다. 상기 식각 구멍 형성 방법은, (a) 반도체 기판위에 폴리스티렌을 도포하여 반도체 기판위에 주기적이면서 규칙적으로 폴리스티렌 입자(Polystyrene bead)를 형성하는 단계; (b) 폴리스티렌 입자가 형성된 반도체 기판을 열처리하는 단계; (c) 반도체 기판의 표면에 역피라미드 모양의 식각 구멍(etch pit)이 형성될 때까지 폴리스티렌 입자를 식각용 마스크로 하여 반도체 기판을 반응성 이온 에칭하는 단계; (d) 폴리스티렌 입자를 제거하는 단계; (e) 역피라미드 모양의 식각 구멍이 형성된 표면과 대향되는 반도체 기판의 표면에 전극층을 증착하는 단계;를 구비한다.본 발명에 의하여, 보다 단순화된 공정으로 전기화학적 식각에 사용될 역피라미드 모양의 식각 구멍(etch pit)을 규칙적이면서 주기적으로 형성할 수 있게 된다. | - |
dc.title | 전기화학적 에칭을 위한 식각 구멍 형성 방법 | - |
dc.title.alternative | Method for fabricating etch pits of electrochemical etching | - |
dc.type | Patent | - |
dc.publisher.country | KO | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2009-0126665 | - |
dc.date.application | 2009-12-18 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1080612 | - |
dc.date.registration | 2011-11-01 | - |
dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
dc.description.claim | (a) 반도체 기판위에 폴리스티렌을 도포하여 반도체 기판위에 주기적이면서 규칙적으로 폴리스티렌 입자(Polystyrene bead)를 형성하는 단계;(b) 폴리스티렌 입자가 형성된 반도체 기판을 열처리하는 단계;(c) 반도체 기판의 표면에 역피라미드 모양의 식각 구멍(etch pit)이 형성될 때까지 폴리스티렌 입자를 식각용 마스크로 하여 반도체 기판을 반응성 이온 에칭하는 단계;(d) 폴리스티렌 입자를 제거하는 단계;(e) 역피라미드 모양의 식각 구멍이 형성된 표면과 대향되는 반도체 기판의 표면에 전극층을 증착하는 단계;를 구비하고, 상기 (b) 단계는 폴리스티렌 입자가 반도체 기판의 표면에 안정되게 접합될 때까지 열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 주기적이고 규칙적으로 정렬된 전기화학적 식각용 식각 구멍 형성 방법. | - |
dc.type.iprs | 특허 | - |
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