본 발명은 전기화학적 식각에 사용될 식각 구멍 형성 방법에 관한 것이다. 상기 식각 구멍 형성 방법은, (a) 반도체 기판위에 폴리스티렌을 도포하여 반도체 기판위에 주기적이면서 규칙적으로 폴리스티렌 입자(Polystyrene bead)를 형성하는 단계; (b) 폴리스티렌 입자가 형성된 반도체 기판을 열처리하는 단계; (c) 반도체 기판의 표면에 역피라미드 모양의 식각 구멍(etch pit)이 형성될 때까지 폴리스티렌 입자를 식각용 마스크로 하여 반도체 기판을 반응성 이온 에칭하는 단계; (d) 폴리스티렌 입자를 제거하는 단계; (e) 역피라미드 모양의 식각 구멍이 형성된 표면과 대향되는 반도체 기판의 표면에 전극층을 증착하는 단계;를 구비한다.본 발명에 의하여, 보다 단순화된 공정으로 전기화학적 식각에 사용될 역피라미드 모양의 식각 구멍(etch pit)을 규칙적이면서 주기적으로 형성할 수 있게 된다.
