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산화인듐주석 로드의 제조방법

Title
산화인듐주석 로드의 제조방법
Translated Title
METHOD FOR PREPARING INDIUM TIN OXIDE ROD
Inventors
임상규황성호이수근
DGIST Inventors
임상규황성호이수근
Country
KO
Application Date
2011-11-17
Application No.
10-2011-0120034
Registration Date
2014-05-22
Registration No.
10-1401089
Assignee
(재)대구경북과학기술원(100/100)
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/8090
https://doi.org/10.8080/1020110120034 [KIPRIS]
Abstract
본 발명의 일 측에 따른 산화인듐주석 로드의 제조방법은 디메틸포름아미드(dimethylformamide) 및 알콜의 혼합비율을 달리함으로써 길이와 두께의 비인 어스펙트비(aspect ratio)가 조절된 산화인듐주석 로드를 제조할 수 있다. 즉, 산화인듐주석 로드 제조시, 디메틸포름아미드와 알콜을 특정 비율로 혼합함으로써 제조되는 산화인듐주석의 두께와 길이를 쉽게 조절할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 측에 따라 인듐과 주석에 고분자를 배위시킨 화합물로부터 제조되는 산화인듐주석 로드는 전자 재료, 센서 소재 등 다양한 소재 분야에 적용될 수 있다.
Related Researcher
  • Author Lee, Soo-Keun  
  • Research Interests Nano material, photocatalyst, TiO2, ZnO
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Collection:
Division of Energy Technology3. Patents


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