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dc.contributor.author 김대환 -
dc.contributor.author 양기정 -
dc.contributor.author 심준형 -
dc.contributor.author 손대호 -
dc.contributor.author 강진규 -
dc.date.accessioned 2018-07-11T12:31:25Z -
dc.date.available 2018-07-11T12:31:25Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/8361 -
dc.description.abstract 본 발명은 금속 전구체를 증착하여 광흡수층을 형성하는 단계; 및 도펀트 물질로 상기 광흡수층을 도핑하는 열처리 단계를 포함하는 박막 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 상기 열처리 단계를 통하여, 박막 태양전지의 광흡수층이 최적의 효울을 나타내는 밴드갭을 가지도록 조절하는, 박막 태양전지 제조방법 및 제조된 박막 태양전지에 관한 것이다. -
dc.title 광흡수층 밴드갭 조절을 통한 CZTS 태양전지의 제조 방법 -
dc.title.alternative A method for preparing CZTS solar cell by controlling bandgap of abosorbance layer -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2014-0149048 -
dc.date.application 2014-10-30 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1635955 -
dc.date.registration 2016-06-28 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.description.claim 금속 전구체를 증착하여 광흡수층을 형성하는 단계; 및GeS 및 GeSe 중에서 선택되는 적어도 하나의 도펀트 물질로 상기 광흡수층을 도핑하는 황화 열처리 단계를 포함하는 박막 태양전지 제조방법으로서, 상기 열처리 단계는 2 구역 퍼니스(2-zone furnace) 내에서 이루어지고, 퍼니스의 제 1 구역에는 황 소스가 위치하고, 제 1 구역 보다 높은 온도를 가지는 퍼니스의 제 2 구역에는 도펀트 물질과 상기 광흡수층이 위치하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법. -
dc.type.iprs 특허 -
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Division of Energy Technology 3. Patents

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