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비휘발성 저항변화 메모리 소자
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- Title
- 비휘발성 저항변화 메모리 소자
- Alternative Title
- Non-volatile Resistance memory Device
- Country
- KO
- Application Date
- 2010-11-05
- Application No.
- 10-2010-0109706
- Registration Date
- 2011-09-26
- Publication No.
- 10-1069124
- Assignee
- (재)대구경북과학기술원(100/100)
- Abstract
-
본 발명의 활성층은 In, Zn 및 Ta를 포함하며, 상기 In, 상기 Zn, 및 상기 Ta의 함유량의 합에 대한 상기 Ta 함유량의 비는 5 % 이상 30 % 이하이다.
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