본 발명은 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극 제조방법 및 이에 따라 제조되는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극에 관한 것으로, 상세하게는 기판 상에 SiO2 패턴을 형성하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 SiO2패턴 상에 금속 시드(seed) 층을 형성하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2의 금속 시드 층으로부터 환원제 및 금속 전구체가 포함된 용액을 이용하여 나노와이어를 성장시키는 단계(단계 3);를 포함하는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극 제조방법 및 이에 따라 제조되는 패턴이 형성된 금속 나노와이어 투명전극을 제공한다. 본 발명은 SiO2로 패턴된 기판상에 금속 시드(seed)층을 형성하여 금속 나노와이어를 성장시킴으로써, 종래 금속 나노와이어를 먼저 합성하고 이를 코팅 후 패터닝 하던 것과 달리, 복잡하고 어려운 공정이 요구되지 않아 간편하며 제작 비용이 감소하는 효과가 있다. 또한, 기판 상에서 직접 나노 와이어가 합성되므로, 기판과 나노 와이어간의 접착성이 증대될 수 있다.
