Cited 0 time in webofscience Cited 0 time in scopus

산화물 반도체를 이용한 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법

Title
산화물 반도체를 이용한 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법
Translated Title
Semiconductor Memory Device and Manufacturing Method Thereof by Using Oxide Semiconductor
Inventors
강진규도윤선김대환손대호양기정성시준
DGIST Inventors
강진규김대환양기정; 성시준
Country
KO
Application Date
2008-12-15
Application No.
10-2008-0127211
Registration Date
2011-06-28
Registration No.
10-1046176
Assignee
(재)대구경북과학기술원(100/100)
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/8679
https://doi.org/10.8080/1020080127211KIPRIS
Abstract
본 발명은 산화물 반도체를 이용한 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 기판; 기판 상에 산화물 반도체로 형성되는 채널 영역 및 채널 영역과 쇼트키 접합하여 형성되는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 액티브층; 및 액티브층 상부에 형성되는 플로팅 게이트층을 포함하는 반도체 메모리 소자를 제공한다.본 발명에 의하면, 반도체 메모리 소자의 소형화에 따른 여러 가지 현상을 차단하여 고집적화된 투명하고 유연한 반도체 메모리 소자를 구현할 수 있다.
Related Researcher
Files:
There are no files associated with this item.
Collection:
Convergence Research Center for Solar Energy3. Patents


qrcode mendeley

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

BROWSE