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dc.contributor.author 강진규 -
dc.contributor.author 도윤선 -
dc.contributor.author 김대환 -
dc.contributor.author 손대호 -
dc.contributor.author 양기정 -
dc.contributor.author 성시준 -
dc.date.accessioned 2018-07-11T12:43:29Z -
dc.date.available 2018-07-11T12:43:29Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/8679 -
dc.description.abstract 본 발명은 산화물 반도체를 이용한 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 기판; 기판 상에 산화물 반도체로 형성되는 채널 영역 및 채널 영역과 쇼트키 접합하여 형성되는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 액티브층; 및 액티브층 상부에 형성되는 플로팅 게이트층을 포함하는 반도체 메모리 소자를 제공한다.본 발명에 의하면, 반도체 메모리 소자의 소형화에 따른 여러 가지 현상을 차단하여 고집적화된 투명하고 유연한 반도체 메모리 소자를 구현할 수 있다. -
dc.title 산화물 반도체를 이용한 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법 -
dc.title.alternative Semiconductor Memory Device and Manufacturing Method Thereof by Using Oxide Semiconductor -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2008-0127211 -
dc.date.application 2008-12-15 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1046176 -
dc.date.registration 2011-06-28 -
dc.contributor.assignee (재)대구경북과학기술원(100/100) -
dc.description.claim 기판;상기 기판 상에 산화물 반도체로 형성되는 채널 영역 및 상기 채널 영역과 쇼트키 접합하여 형성되는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 액티브층; 상기 액티브층 상부에 형성되는 플로팅 게이트층; 및 상기 액티브층과 상기 플로팅 게이트층 사이에 상기 소스 및 상기 드레인 전극의 일부분에 오버랩되어 형성되는 터널 절연층을포함하는 반도체 메모리 소자. -
dc.type.iprs 특허 -
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Division of Energy Technology 3. Patents
Convergence Research Center for Solar Energy 3. Patents

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