Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 강진규 | - |
dc.contributor.author | 도윤선 | - |
dc.contributor.author | 김대환 | - |
dc.contributor.author | 손대호 | - |
dc.contributor.author | 양기정 | - |
dc.contributor.author | 성시준 | - |
dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:43:29Z | - |
dc.date.available | 2018-07-11T12:43:29Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8679 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 산화물 반도체를 이용한 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 기판; 기판 상에 산화물 반도체로 형성되는 채널 영역 및 채널 영역과 쇼트키 접합하여 형성되는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 액티브층; 및 액티브층 상부에 형성되는 플로팅 게이트층을 포함하는 반도체 메모리 소자를 제공한다.본 발명에 의하면, 반도체 메모리 소자의 소형화에 따른 여러 가지 현상을 차단하여 고집적화된 투명하고 유연한 반도체 메모리 소자를 구현할 수 있다. | - |
dc.title | 산화물 반도체를 이용한 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법 | - |
dc.title.alternative | Semiconductor Memory Device and Manufacturing Method Thereof by Using Oxide Semiconductor | - |
dc.type | Patent | - |
dc.publisher.country | KO | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2008-0127211 | - |
dc.date.application | 2008-12-15 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1046176 | - |
dc.date.registration | 2011-06-28 | - |
dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
dc.description.claim | 기판;상기 기판 상에 산화물 반도체로 형성되는 채널 영역 및 상기 채널 영역과 쇼트키 접합하여 형성되는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 액티브층; 상기 액티브층 상부에 형성되는 플로팅 게이트층; 및 상기 액티브층과 상기 플로팅 게이트층 사이에 상기 소스 및 상기 드레인 전극의 일부분에 오버랩되어 형성되는 터널 절연층을포함하는 반도체 메모리 소자. | - |
dc.type.iprs | 특허 | - |
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