산화물 반도체를 이용한 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법
- Title
- 산화물 반도체를 이용한 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법
- Alternative Title
- Semiconductor Memory Device and Manufacturing Method Thereof by Using Oxide Semiconductor
- Country
- KO
- Application Date
- 2008-12-15
- Application No.
- 10-2008-0127211
- Registration Date
- 2011-06-28
- Publication No.
- 10-1046176
- Assignee
- (재)대구경북과학기술원(100/100)
- Abstract
- 본 발명은 산화물 반도체를 이용한 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 기판; 기판 상에 산화물 반도체로 형성되는 채널 영역 및 채널 영역과 쇼트키 접합하여 형성되는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 액티브층; 및 액티브층 상부에 형성되는 플로팅 게이트층을 포함하는 반도체 메모리 소자를 제공한다.본 발명에 의하면, 반도체 메모리 소자의 소형화에 따른 여러 가지 현상을 차단하여 고집적화된 투명하고 유연한 반도체 메모리 소자를 구현할 수 있다.
- Related Researcher
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Kang, Jin-Kyu 에너지환경연구부
- Research Interests
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- Appears in Collections:
- Division of Energy Technology 3. Patents
- Convergence Research Center for Solar Energy 3. Patents
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