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국소 열처리를 통한 트랜지스터 특성 복원방법

Title
국소 열처리를 통한 트랜지스터 특성 복원방법
Alternative Title
Repairing method of characteristics of transistors
Author(s)
이현준임성준노희연김준우김준서최병대
Country
KO
Application Date
2017-04-27
Application No.
10-2017-0054241
Registration Date
2018-04-02
Publication No.
10-1846477
Assignee
(재)대구경북과학기술원(100/100)
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/8957 10-2017-0054241
Abstract
국소 열처리를 통한 트랜지스터 특성 복원방법을 제공한다. 국소 열처리를 통한 트랜지스터 특성 복원방법은 손상된 트랜지스터 소자가 내재된 전자 장치를 준비하는 단계 및 이때의 전자 장치 중 상기 손상된 트랜지스터 소자에 레이저를 조사하는 단계를 포함하고, 이때의 레이저 조사에 따른 열처리를 통하여 상기 손상된 트랜지스터 소자의 특성을 복원하는 것을 특징으로 한다.
Related Researcher
  • 이현준 Lee, Hyeon-Jun 나노기술연구부
  • Research Interests 산화물반도체;IGZO;memristor;멤리스터;저항메모리;resistance memory;neuromorphic;device;degradation;hot electron;display device;gate driver;oxide semiconductor
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Division of Electronics & Information System 3. Patents
Division of Nanotechnology 3. Patents

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