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DC Field Value Language
dc.contributor.author 장재은 -
dc.contributor.author 표고은 -
dc.contributor.author 채지원 -
dc.contributor.author 김동수 -
dc.contributor.author 최경현 -
dc.date.accessioned 2022-09-30T17:30:22Z -
dc.date.available 2022-09-30T17:30:22Z -
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/20.500.11750/16890 -
dc.description.abstract 본 발명의 다양한 실시예에 따른 수직 박막 트랜지스터는, 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 배치되는 절연층; 상기 절연층 상에 배치되고 홀을 포함하는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되는 채널층; 상기 채널층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 2차원 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다. -
dc.title 수직 박막 트랜지스터 -
dc.title.alternative Vertical Thin Film Transistor -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2021-0077989 -
dc.date.application 2021-06-16 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-2436874 -
dc.date.registration 2022-08-23 -
dc.contributor.assignee 재단법인대구경북과학기술원 -
dc.type.iprs 특허 -
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Department of Electrical Engineering and Computer Science Advanced Electronic Devices Research Group(AEDRG) - Jang Lab. 3. Patents

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