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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 장재은 | - |
| dc.contributor.author | 표고은 | - |
| dc.contributor.author | 채지원 | - |
| dc.contributor.author | 김동수 | - |
| dc.contributor.author | 최경현 | - |
| dc.date.accessioned | 2022-09-30T17:30:22Z | - |
| dc.date.available | 2022-09-30T17:30:22Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/16890 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 다양한 실시예에 따른 수직 박막 트랜지스터는, 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 배치되는 절연층; 상기 절연층 상에 배치되고 홀을 포함하는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되는 채널층; 상기 채널층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 2차원 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다. | - |
| dc.title | 수직 박막 트랜지스터 | - |
| dc.title.alternative | Vertical Thin Film Transistor | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2021-0077989 | - |
| dc.date.application | 2021-06-16 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2436874 | - |
| dc.date.registration | 2022-08-23 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
Department of Electrical Engineering and Computer Science
