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수직 박막 트랜지스터
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- Title
- 수직 박막 트랜지스터
- Alternative Title
- Vertical Thin Film Transistor
- Country
- KO
- Application Date
- 2022-04-18
- Application No.
- 10-2022-0047766
- Registration Date
- 2025-03-04
- Publication No.
- 10-2778365
- Assignee
- 재단법인대구경북과학기술원
- Abstract
-
본 발명의 다양한 실시예에 따른 수직 박막 트랜지스터는, 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 배치되는 절연층; 상기 절연층 상에 배치되고 홀을 포함하는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되는 채널층; 상기 채널층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극 및 상기 채널층 사이에 배리어 형성부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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Related Researcher
- Jang, Jae Eun장재은
-
Department of Electrical Engineering and Computer Science
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