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Title
수직 박막 트랜지스터
Alternative Title
Vertical Thin Film Transistor
Country
KO
Application Date
2022-04-18
Application No.
10-2022-0047766
Registration Date
2025-03-04
Publication No.
10-2778365
Assignee
재단법인대구경북과학기술원
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/58191 10-2022-0047766
Abstract
본 발명의 다양한 실시예에 따른 수직 박막 트랜지스터는, 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 배치되는 절연층; 상기 절연층 상에 배치되고 홀을 포함하는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되는 채널층; 상기 채널층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극 및 상기 채널층 사이에 배리어 형성부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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장재은
Jang, Jae Eun장재은

Department of Electrical Engineering and Computer Science

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