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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 백승훈 | - |
| dc.contributor.author | 권혁준 | - |
| dc.date.accessioned | 2025-10-01T02:10:18Z | - |
| dc.date.available | 2025-10-01T02:10:18Z | - |
| dc.identifier.uri | https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/59071 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 N형 도펀트의 도핑 방법 및 이를 이용하여 제조된 N형 도펀트가 도핑된 기판, 이를 이용한 트랜지스터의 제조 방법 및 이를 포함하는 트랜지스터를 개시한다. 본 발명은 4족 반도체 물질을 포함하는 기판을 준비하는 단계; 및 상기 기판에 N형 도펀트, 주석(Sn) 도펀트 및 보조 도펀트를 공도핑하여 공도핑 영역을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 공도핑 영역을 형성하는 단계는 상기 주석 도펀트 및 보조 도펀트에 의해 상기 공도핑 영역의 상기 N형 도펀트의 농도가 조절되는 것을 특징 으로 한다. | - |
| dc.title | N형 도펀트의 도핑 방법 및 이를 이용하여 제조된 N형 도펀트가 도핑된 기판, 이를 이용한 트랜지스터의 제조 방법 및 이를 포함하는 트랜지스터 | - |
| dc.title.alternative | N-TYPE DOPANT DOPING METHOD AND N-TYPE DOPANT-DOPED SUBSTRATE MANUFACTURED USING THE SAME, METHOD OF MANUFACTURING A TRANSISTOR USING THE SAME, AND TRANSISTOR INCLUDING THE SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2023-0196020 | - |
| dc.date.application | 2023-12-29 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2862456 | - |
| dc.date.registration | 2025-09-17 | - |
| dc.contributor.assignee | 재단법인대구경북과학기술원 | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
Department of Electrical Engineering and Computer Science
