N형 도펀트의 도핑 방법 및 이를 이용하여 제조된 N형 도펀트가 도핑된 기판, 이를 이용한 트랜지스터의 제조 방법 및 이를 포함하는 트랜지스터
Alternative Title
N-TYPE DOPANT DOPING METHOD AND N-TYPE DOPANT-DOPED SUBSTRATE MANUFACTURED USING THE SAME, METHOD OF MANUFACTURING A TRANSISTOR USING THE SAME, AND TRANSISTOR INCLUDING THE SAME
본 발명은 N형 도펀트의 도핑 방법 및 이를 이용하여 제조된 N형 도펀트가 도핑된 기판, 이를 이용한 트랜지스터의 제조 방법 및 이를 포함하는 트랜지스터를 개시한다. 본 발명은 4족 반도체 물질을 포함하는 기판을 준비하는 단계; 및 상기 기판에 N형 도펀트, 주석(Sn) 도펀트 및 보조 도펀트를 공도핑하여 공도핑 영역을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 공도핑 영역을 형성하는 단계는 상기 주석 도펀트 및 보조 도펀트에 의해 상기 공도핑 영역의 상기 N형 도펀트의 농도가 조절되는 것을 특징 으로 한다.
