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N형 도펀트의 도핑 방법 및 이를 이용하여 제조된 N형 도펀트가 도핑된 기판, 이를 이용한 트랜지스터의 제조 방법 및 이를 포함하는 트랜지스터
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- Title
- N형 도펀트의 도핑 방법 및 이를 이용하여 제조된 N형 도펀트가 도핑된 기판, 이를 이용한 트랜지스터의 제조 방법 및 이를 포함하는 트랜지스터
- Alternative Title
- N-TYPE DOPANT DOPING METHOD AND N-TYPE DOPANT-DOPED SUBSTRATE MANUFACTURED USING THE SAME, METHOD OF MANUFACTURING A TRANSISTOR USING THE SAME, AND TRANSISTOR INCLUDING THE SAME
- Country
- KO
- Application Date
- 2023-12-29
- Application No.
- 10-2023-0196020
- Registration Date
- 2025-09-17
- Publication No.
- 10-2862456
- Assignee
- 재단법인대구경북과학기술원
- Abstract
-
본 발명은 N형 도펀트의 도핑 방법 및 이를 이용하여 제조된 N형 도펀트가 도핑된 기판, 이를 이용한 트랜지스터의 제조 방법 및 이를 포함하는 트랜지스터를 개시한다. 본 발명은 4족 반도체 물질을 포함하는 기판을 준비하는 단계; 및 상기 기판에 N형 도펀트, 주석(Sn) 도펀트 및 보조 도펀트를 공도핑하여 공도핑 영역을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 공도핑 영역을 형성하는 단계는 상기 주석 도펀트 및 보조 도펀트에 의해 상기 공도핑 영역의 상기 N형 도펀트의 농도가 조절되는 것을 특징 으로 한다.
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Related Researcher
- Kwon, Hyuk-Jun권혁준
-
Department of Electrical Engineering and Computer Science
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