금속 산화물 반도체의 제조방법, 이를 통해 제조된 금속 산화물 반도체(METHOD FOR MANUFACTURING A METAL OXIDE SEMICONDUCTOR AND A METAL OXIDE SEMICONDUCTOR MANUFACTURED THEREBY)

Abstract

본 발명은 금속 산화물 반도체의 전기적 및 광학적 특성을 향상시키기 위한 기술에 관한 것으로, 도핑원소 공급층과의 계면에서 선택적 도핑을 유도하기 위해 레이저 조사 공정을 수행한다. 본 발명은 레이저 파워를 정밀하게 제어함으로써, 도핑원소를 금속 산화물 반도체 내로 선택적으로 확산시켜 p형 전도 특성을 구현하고, 동시에 산소 공공(oxygen vacancy)의 농도 및 밴드 구조를 조절할 수 있도록 한다. 도핑원소가 확산된 금속 산화물 반도체는 정공 캐리어 농도가 증가된 전도 특성을 나타내며, 밸런스된 궤도 혼성화 및 밴드갭 축소를 통해 우수한 정공 이동도와 함께 안정적인 동작을 구현한다.