Department of Electrical Engineering and Computer Science
CSP(Communication and Signal Processing) Lab
3. Patents
Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최지웅 | - |
| dc.contributor.author | 최홍수 | - |
| dc.contributor.author | 장재은 | - |
| dc.date.accessioned | 2018-07-11T12:45:53Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-11T12:45:53Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/8747 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 복합형 미세 압전 초음파 트랜스듀서의 제작방법 관한 것이며, 본 발명의 복합형 미세 압전 초음파 트랜스듀서의 제작방법은 기판 상에 절연층을 적층하는 절연층 적층단계; 상기 절연층 상에 하부전극을 적층하는 하부전극 적층단계와 상기 하부전극 상에 박막압전층을 적층하는 박막압전층 적층단계와 상기 박막압전층 상에 제1상부전극을 적층하는 제1상부전극 적층단계를 포함하는 초음파 수신부 형성단계; 상기 초음파 수신부를 패터닝 하여 상기 하부전극을 상기 초음파 수신부가 적층되는 제1하부전극과 외부로 노출되며 상기 제1하부전극과 상호 전기적으로 분리되는 제2하부전극으로 분리하는 초음파 수신부 패터닝 단계와 상기 초음파 수신부 및 상기 제2하부전극의 외면에 상기 박막압전층의 두께보다 두꺼운 두께의 후막압전층을 적층하는 후막압전층 적층단계와 상기 제2하부전극의 영역과 대향되는 위치의 상기 후막압전층 상에 제2상부전극을 적층하는 제2상부전극 적층단계와 상기 초음파 송신부 상에 적층된 후막압전층을 제거하는 후막압전층 제거단계를 포함하는 초음파 송신부 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.따라서, 본 발명에 의하면, 초음파 송수신 기능을 수행하는 구성을 동일 기판상에 형성하고, 각 압전층의 두께를 기능에 따라 달리 구성함으로써 컴팩트한 구성을 통하여 우수한 초음파 송수신 기능을 구현할 수 있는 복합형 미세 압전 초음파 트랜스듀서의 제작방법이 제공된다. | - |
| dc.title | 복합형 미세 압전 초음파 트랜스듀서 제작방법 | - |
| dc.title.alternative | METHOD FOR FABRICATING MUTIFUNCTIONAL PIEZOELECTRIC MICROMACHINED ULTRASONIC TRANSDUCER | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2012-0038166 | - |
| dc.date.application | 2012-04-12 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1326531 | - |
| dc.date.registration | 2013-11-01 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.description.claim | 기판 상에 절연층을 적층하는 절연층 적층단계;상기 절연층 상에 하부전극을 적층하는 하부전극 적층단계와 상기 하부전극 상에 박막압전층을 적층하는 박막압전층 적층단계와 상기 박막압전층 상에 제1상부전극을 적층하는 제1상부전극 적층단계를 포함하는 초음파 수신부 형성단계;상기 초음파 수신부를 패터닝 하여 상기 하부전극을 상기 초음파 수신부가 적층되는 제1하부전극과 외부로 노출되며 상기 제1하부전극과 상호 전기적으로 분리되는 제2하부전극으로 분리하는 초음파 수신부 패터닝 단계와 상기 초음파 수신부 및 상기 제2하부전극의 외면에 상기 박막압전층의 두께보다 두꺼운 두께의 후막압전층을 적층하는 후막압전층 적층단계와 상기 제2하부전극의 영역과 대향되는 위치의 상기 후막압전층 상에 제2상부전극을 적층하는 제2상부전극 적층단계와 상기 초음파 송신부 상에 적층된 후막압전층을 제거하는 후막압전층 제거단계를 포함하는 초음파 송신부 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합형 미세 압전 초음파 트랜스듀서 제작방법. | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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