Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 장재은 | - |
dc.contributor.author | 신정희 | - |
dc.contributor.author | 김종현 | - |
dc.contributor.author | 이승철 | - |
dc.date.accessioned | 2020-02-25T02:56:42Z | - |
dc.date.available | 2020-02-25T02:56:42Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/20.500.11750/11322 | - |
dc.description.abstract | 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 상에 배치된 제1전극; 상기 제1전극 상에 배치된 제1절연층; 상기 제1절연층 상에 배치된 플로팅(floating) 전극; 상기 플로팅 전극 상에 배치된 제2절연층; 상기 제2절연층 상에 배치된 제2전극; 및 상기 제1전극 및 상기 제2전극과 절연되어 배치되며, 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 터널링 전류를 제어하는 게이트 전극을 포함하는, 터널링 트랜지스터를 제공한다. | - |
dc.title | 터널링 트랜지스터 및 이의 제조 방법 | - |
dc.title.alternative | Tunneling Transistor and manufacturing the same | - |
dc.type | Patent | - |
dc.publisher.country | KO | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2017-0114683 | - |
dc.date.application | 2017-09-07 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1967446 | - |
dc.date.registration | 2019-04-03 | - |
dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
dc.type.iprs | 특허 | - |
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