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터널링 트랜지스터 및 이의 제조 방법

Title
터널링 트랜지스터 및 이의 제조 방법
Translated Title
Tunneling Transistor and manufacturing the same
Inventors
장재은양재훈허수진신정희
DGIST Inventors
장재은
Country
KO
Application Date
2017-09-07
Application No.
10-2017-0114685
Registration Date
2019-04-03
Registration No.
10-1967445
Assignee
재단법인대구경북과학기술원
URI
http://hdl.handle.net/20.500.11750/11335
https://doi.org/10.8080/1020170114685 [KIPRIS]
Abstract
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 상에 배치된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 배치된 제1절연층; 상기 제1절연층 상에 배치되며, 상기 게이트 전극에 의해 발생한 전기장이 통과할 수 있는 적어도 하나의 통로(path)를 포함하는 제1전극; 상기 제1절연층 상에 상기 제1전극을 덮도록 배치된 제2절연층; 및 상기 제2절연층 상에 배치된 제2전극을 포함하는, 터널링 트랜지스터를 제공한다.
Related Researcher
  • Author Jang, Jae Eun Advanced Electronic Devices Research Group(AEDRG) - Jang Lab.
  • Research Interests Nanoelectroinc device; 생체 신호 센싱 시스템 및 생체 모방 디바이스; 나노 통신 디바이스
Files:
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Collection:
Department of Information and Communication EngineeringAdvanced Electronic Devices Research Group(AEDRG) - Jang Lab.3. Patents


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