DGIST Scholar: 수직 박막 트랜지스터

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Department of Electrical Engineering and Computer Science Advanced Electronic Devices Research Group(AEDRG) - Jang Lab. 3. Patents

수직 박막 트랜지스터

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Title: 수직 박막 트랜지스터

Alternative Title: Vertical Thin Film Transistor

Country: KO

Application Date: 2021-06-16

Application No.: 10-2021-0077989

Registration Date: 2022-08-23

Publication No.: 10-2436874

Assignee: (재)대구경북과학기술원(100/100)

URI: http://hdl.handle.net/20.500.11750/16890 10-2021-0077989

Abstract: 본 발명의 다양한 실시예에 따른 수직 박막 트랜지스터는, 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 배치되는 절연층; 상기 절연층 상에 배치되고 홀을 포함하는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되는 채널층; 상기 채널층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 2차원 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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