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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 유민지 | - |
| dc.contributor.author | 장재은 | - |
| dc.contributor.author | 최원혁 | - |
| dc.contributor.author | 표고은 | - |
| dc.contributor.author | 박동혁 | - |
| dc.contributor.author | 박희창 | - |
| dc.contributor.author | 이정훈 | - |
| dc.date.accessioned | 2025-11-13T15:10:09Z | - |
| dc.date.available | 2025-11-13T15:10:09Z | - |
| dc.identifier.uri | https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/59160 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 다양한 실시예에 따른 수직 박막 트랜지스터는, 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 배치되는 제1 절연층; 상기 제1 절연층 상에 배치되고 홀을 포함하는 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치되는 채널층; 및 상기 채널층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 홀을 포함하는 제2 절연층을 포함할 수 있다. 본 발명의 다양한 실시예에 따른 수직 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 내장 마스크를 포함하는 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 홀을 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계; 및 상기 기판 상에 홀을 포함하는 제2 절연층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. | - |
| dc.title | 수직 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | Vertical Thin Film Transistor and method of manufacturing for the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2024-0119163 | - |
| dc.date.application | 2024-09-03 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2884720 | - |
| dc.date.registration | 2025-11-06 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
Department of Electrical Engineering and Computer Science
