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모놀리식 3차원 적층 구조 기반의 전계 효과 트랜지스터 활성화를 위한 유전체 및 채널 박막 레이저 열처리를 이용하여 강유전체 전계 효과 트랜지스터를 제조하는 방법
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김동수 | - |
| dc.contributor.author | 권혁준 | - |
| dc.contributor.author | 장재은 | - |
| dc.contributor.author | 정희재 | - |
| dc.date.accessioned | 2026-08-01T02:10:21Z | - |
| dc.date.available | 2026-08-01T02:10:21Z | - |
| dc.identifier.uri | https://scholar.dgist.ac.kr/handle/20.500.11750/60571 | - |
| dc.title | 모놀리식 3차원 적층 구조 기반의 전계 효과 트랜지스터 활성화를 위한 유전체 및 채널 박막 레이저 열처리를 이용하여 강유전체 전계 효과 트랜지스터를 제조하는 방법 | - |
| dc.title.alternative | METHOD FOR MANUFACTURING A FERROELECTRIC FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING LASER ANNEALING OF DIELECTRIC AND CHANNEL THIN FILMS FOR ACTIVATION OF A MONOLITHIC 3D STACKED STRUCTURE-BASED FIELD-EFFECT TRANSISTOR | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2024-0139319 | - |
| dc.date.application | 2024-10-14 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2991622 | - |
| dc.date.registration | 2026-07-10 | - |
| dc.contributor.assignee | (재)대구경북과학기술원(100/100) | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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- Kwon, Hyuk-Jun권혁준
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Department of Electrical Engineering and Computer Science
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